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    EXCELITAS 埃塞力达

    EXCELITAS 埃塞力达 C30950EH 混合光学APD接收器模块

    C30950EH - 硅APD接收器, 0.8mm, 50MHz, TO-8 C30950EH是一种50 MHz带宽的硅雪崩光电二极管(Si APD)放大器模块,并包括我们的C30817硅雪崩光电二极管(APD)。C30950EH的有效直径为0.8 mm,可在400至1100 nm之间提供良好的响应,并采用经过修改的12引脚TO-8封装。

    EXCELITAS 埃塞力达 C30739ECERH-2 大面积UV增强型APD

    C30739ECERH-2 - 硅APD, 陶瓷载体,高增益 C30739ECERH-2短波长增强型硅雪崩光电二极管(Si APD)覆盖从小于400 nm到大于700 nm的光谱范围。这种Si APD具有低噪声、高增益、低电容和增强的紫外响应,并且在430 nm处的量子效率高于70%,专为低光度应用而设计,如分子成像。其陶瓷载体封装允许轻松处理和耦合到诸如LSO和BGO等闪烁晶体。

    EXCELITAS 埃塞力达 C30739ECERH 大面积UV增强型APD

    C30739ECERH - 硅APD, 陶瓷载体 C30739ECERH短波长增强型硅雪崩光电二极管(Si APD)覆盖从小于400 nm到大于700 nm的光谱范围。这种Si APD具有低噪声、高增益、低电容和增强的紫外响应,并且在430 nm处的量子效率高于70%,专为低光度应用而设计,如分子成像。其陶瓷载体封装允许轻松处理和耦合到诸如LSO和BGO等闪烁晶体。

    EXCELITAS 埃塞力达 C30703FH-200 大面积UV增强型APD

    C30703FH-200 - 硅APD, 10x10mm,扁平封装,无胶合窗口 C30703FH-200硅雪崩光电二极管(Si APD)的尺寸为10 mm x 10 mm,设计用于超大面积,并采用适用于辐射探测的扁平封装。C30703 Si APD具有增强的蓝光波长响应,以及在~ 530 nm处有峰值量子效率。

    EXCELITAS 埃塞力达 C30703FH 大面积UV增强型APD

    C30703FH - 硅APD, 10x10mm,扁平封装 C30703FH系列硅雪崩光电二极管(Si APD)的尺寸为10 mm x 10 mm,设计用于超大面积,并采用适用于辐射探测的扁平封装。Si APD C30703具有增强的蓝光波长响应,以及在~ 530 nm处有峰值量子效率。

    EXCELITAS 埃塞力达 C30626FH 大面积UV增强型APD

    C30626FH - 硅APD, 5x5mm,扁平封装 大面积C30626FH系列硅雪崩光电二极管(硅APD),尺寸为4.7 x 4.7mm,采用扁平封装,用于直接检测或便于匹配闪烁晶体。

    EXCELITAS 埃塞力达 C30884EH 高性能Si APD

    C30884EH - 硅APD, 1mm, TO-5 C30884EH硅雪崩光电二极管(Si APD)提供极高的调制能力,具有高响应度以及快速的上升和下降时间。由于下降时间特征没有“拖尾”,器件的响应度与最高约400 MHz的调制频率无关。这种Si APD使用双扩散“穿透式”结构制成,针对1000 nm以下波长的高响应度进行了优化。

    EXCELITAS 埃塞力达 C30817EH 高性能Si APD

    C30817EH - 硅APD, 0.8mm, TO-5薄型 通用C30817EH硅雪崩光电二极管采用双扩散“穿透式”结构设计。这种结构能够在400至1100nm之间提供高响应度,并能在所有波长下实现极快的上升和下降。由于下降时间特征没有“拖尾”,器件的响应度与最高约200 MHz的调制频率无关。

    EXCELITAS 埃塞力达 C30902BH 高性能Si APD

    C30902BH - 硅APD, 0.5mm, TO-18球面镜 埃赛力达的C30902EH 雪崩光电二极管是高速、大面积硅穿透式APD,在低噪声下提供高响应性。它们是专为要求典型增益大于100的低光应用而设计的,提供多种TO-18封装配置,如平板玻璃、球透镜、光管和905 nm滤光片。

    EXCELITAS 埃塞力达 C30902EH-2 高性能Si APD

    C30902EH-2 - 硅APD, 0.5mm, TO-18, 905nm滤波器 埃赛力达的C30902EH 雪崩光电二极管是高速、大面积硅穿透式APD,在低噪声下提供高响应性。它们是专为要求典型增益大于100的低光应用而设计的,提供多种TO-18封装配置,如平板玻璃、球透镜、光管和905 nm滤光片。

    EXCELITAS 埃塞力达 C30902EH 高性能Si APD

    C30902EH - 硅APD, 0.5mm, TO-18 埃赛力达的C30902EH 雪崩光电二极管是高速、大面积硅穿透式APD,在低噪声下提供高响应性。它们是专为要求典型增益大于100的低光应用而设计的,提供多种TO-18封装配置,如平板玻璃、球透镜、光管和905 nm滤光片。

    EXCELITAS 埃塞力达 C30902SH-DTC 高性能Si APD

    C30902SH-DTC - 硅APD, 0.5mm, TO-66,光子计数,二级致冷器 埃赛力达的C30902SH雪崩光电二极管为高速、大面积的硅基APD,可保持较低的噪声水平并提供较高的响应度。其被特别选择用于盖革模式(VOP < VBD)以检测单光子,或用于线性模式(VOP > VBD),增益高达250。

    EXCELITAS 埃塞力达 C30902SH-TC 高性能Si APD

    C30902SH-TC - 硅APD, 0.5mm, TO-66,光子计数,单级致冷器 埃赛力达的C30902SH雪崩光电二极管为高速、大面积的硅基APD,可保持较低的噪声水平并提供较高的响应度。其被特别选择用于盖革模式(VOP < VBD)以检测单光子,或用于线性模式(VOP > VBD),增益高达250。

    EXCELITAS 埃塞力达 C30902SH-2 高性能Si APD

    C30902SH-2 - Si APD,0.5mm, TO-18,光子计数型,905nm滤光片

    EXCELITAS 埃塞力达 C30902SH 高性能Si APD

    C30902SH - 硅APD, 0.5mm, TO-18, 光子计数

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