C30956EH—硅APD, 3mm, TO-8封装 C30956EH大面积、长波长、增强型硅雪崩光电二极管(Si APD)提供3 mm感光面直径，在1060 nm具有高量子效率。这种Si APD采用TO-8封装设计，使用双扩散“穿透式”结构制成。其>900 nm的长波长响应经过了增强，不会产生任何不良影响。

C30955EH - Si APD, 1.5mm, TO-5封装 C30955EH长波长增强型硅雪崩光电二极管(APD)提供1.5 mm感光面直径和1060 nm处的高量子效率。采用TO-5封装设计，这种Si APD使用双扩散“穿透式”结构制成。其>900 nm的长波响应经过了增强，不会产生任何不良影响。

C30954EH - Si APD, 0.8mm, TO-5封装 C30954EH长波长增强型硅雪崩光电二极管(Si APD)提供0.8 mm的感光面直径和在1060 nm处的高量子效率。采用TO-5封装设计，这种Si APD使用双扩散“穿透式”结构制成。其>900 nm的长波响应经过了增强，不会产生任何不良影响。

C30733EH-1 - InGaAs APD, 30um, TO-18薄型 埃赛力达C30733EH-1​​​​​​​小面积InGaAs雪崩光电二极管采用气密TO-18封装提供30 µm感光直径。C30733EH-1针对1310至1650 nm的波长范围进行了优化，适用于需要极快响应和恢复时间的高端测试设备，例如电信中的OTDR。

C30733BQC-01 InGaAs APD, 30µm光纤尾纤带FC/APC连接器

C30662L-200 - InGaAs APD, 200um, SMD封装 埃赛力达​​​​​​​C30662L-200雪崩光电二极管是高速大面积InGaAsAPD，可在1000 nm和1700 nm区间提供高量子探测效率、高响应性和低噪音。C30662L-200光电二极管在紧凑型SMD封装中提供200 µm的感光直径。

C30662EH-3 - 铟镓砷APD, 200um, TO-18, 小孔径 C30662EH-3大面积InGaAs雪崩光电二极管（APD）采用带小孔径玻璃窗口的气密TO-18封装，具有200 µm的感光直径。

C30662EH-1 - InGaAs APD, 200um, TO-18 C30662EH-1大面积InGaAs雪崩光电二极管（APD）采用气密TO-18封装，提供200 µm的感光直径，以及具有Delta Vbd-Vop > 4V的大孔径玻璃窗口。

C30662EH - InGaAs APD, 200um, TO-18 C30662EH大面积InGaAs雪崩光电二极管（APD）采用带大孔径玻璃窗口的气密TO-18封装，具有200 µm的感光直径。

C30662ECERH-1 - InGaAs APD, 200um, 陶瓷型 C30662ECERH-1大面积InGaAs雪崩光电二极管（APD）采用陶瓷基板载体，具有200 µm的感光直径，以及> 4V的Delta Vbd-Vop。

C30662ECERH - InGaAs APD, 200um, 陶瓷型 C30662ECERH大面积InGaAs雪崩光电二极管（APD）采用陶瓷基板载体，具有200 µm的感光直径。

C30645L-080 - InGaAs APD, 80um, SMD封装 埃赛力达C30645L-080雪崩光电二极管是一款高速、大面积InGaAs APD，可在1000 nm到1700 nm光谱范围内提供低噪音、高量子探测效率和高响应度。这种光电二极管采用紧凑型SMD封装并提供80 µm感光直径。

C30645EH - InGaAs APD, 80um, TO-18 薄型 C30645EH大面积InGaAs雪崩光电二极管采用气密TO-18封装和小孔径硅窗口，具有80 µm感光直径。

C30645ECERH - InGaAS APD, 80um, 陶瓷型 C30645ECERH大面积InGaAs雪崩光电二极管（APD）采用陶瓷基座载体，具有80 µm的感光直径。

C30927EH-03 - 硅APD四象限探测器 - 1.5mm - 800 nm