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    EXCELITAS 埃塞力达  C30956EH  1064nm长波长增强型硅APD

    EXCELITAS 埃塞力达 C30956EH 1064nm长波长增强型硅APD

    EXCELITAS 埃塞力达 C30956EH 1064nm长波长增强型硅APD

    C30956EH—硅APD, 3mm, TO-8封装 C30956EH大面积、长波长、增强型硅雪崩光电二极管(Si APD)提供3 mm感光面直径,在1060 nm具有高量子效率。这种Si APD采用TO-8封装设计,使用双扩散“穿透式”结构制成。其>900 nm的长波长响应经过了增强,不会产生任何不良影响。

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    EXCELITAS 埃塞力达  C30956EH  1064nm长波长增强型硅APD

    功能与优点:

    • 感光直径:3 mm
    • 1060 nm波长处具有高量子效率
    • 快速响应时间
    • 较宽的工作温度范围
    • 低结电容
    • 密封封装
    • 符合RoHS标准
    • 提供TEC选项

    应用领域:

    • 测距
    • LiDAR
    • YAG激光探测

    规格

    感光面积:7 mm²
    感光直径:3 mm
    击穿电压:>325, 400, <500 V
    结电容:2.4 pF
    暗电流:100 nA
    增益:75
    噪声电流:1.1pA/√Hz
    封装:TO-8
    峰值灵敏度波长:900 nm
    响应度:

    • 在900 nm为45 A/W
    • 1050nm处为25A/W
    • 1150 nm处为3.5A/W

    上升/下降时间:2 ns
    温度系数:2.4V/°C
    工作电压范围:275-450 V
    波长:400-1100nm

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