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    EXCELITAS 埃塞力达  C30662L-200  高性能铟镓砷APD

    EXCELITAS 埃塞力达 C30662L-200 高性能铟镓砷APD

    EXCELITAS 埃塞力达 C30662L-200 高性能铟镓砷APD

    C30662L-200 - InGaAs APD, 200um, SMD封装 埃赛力达​​​​​​​C30662L-200雪崩光电二极管是高速大面积InGaAsAPD,可在1000 nm和1700 nm区间提供高量子探测效率、高响应性和低噪音。C30662L-200光电二极管在紧凑型SMD封装中提供200 µm的感光直径。

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    EXCELITAS 埃塞力达  C30662L-200  高性能铟镓砷APD

    埃赛力达C30662L-200经过优化,用于1550 nm波长,是人眼安全型激光测距系统的理想选择。

    功能与优点:

    • 大面积InGaAs APD 200 µm直径
    • 紧凑型陶瓷SMD封装
    • 光谱响应范围1000 nm到1700 nm
    • 低噪声和暗电流
    • 高增益和高量子探测效率
    • 带宽超过600 MHz
    • 可定制修改以满足特定需求


    应用领域:

    • LiDAR / ToF测量
    • 人眼安全激光测距
    • 大量消费应用
    • 光学时域反射仪(OTDR)
    • 光通信系统
    • 激光扫描

    规格

    感光直径:200 µm
    击穿电压:45-70 V
    温度系数:0.20V/°C
    响应度:在1550 nm为9.4 A/W
    暗电流:60 nA
    暗噪声:0.80 pA/√Hz
    结电容:2.70 pF
    带宽:大于600 MHz
    量子效率:75% @1550 nm
    增益:20
    封装:SMD

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