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    EXCELITAS 埃塞力达  C30645L-080   高性能铟镓砷APD

    EXCELITAS 埃塞力达 C30645L-080 高性能铟镓砷APD

    EXCELITAS 埃塞力达 C30645L-080 高性能铟镓砷APD

    C30645L-080 - InGaAs APD, 80um, SMD封装 埃赛力达C30645L-080雪崩光电二极管是一款高速、大面积InGaAs APD,可在1000 nm到1700 nm光谱范围内提供低噪音、高量子探测效率和高响应度。这种光电二极管采用紧凑型SMD封装并提供80 µm感光直径。

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    EXCELITAS 埃塞力达  C30645L-080   高性能铟镓砷APD

    埃赛力达C30645L-080经过优化,用于1550 nm波长,是人眼安全型激光测距系统的理想选择。

    功能与优点:

    • 大面积InGaAs APD 80 µm直径
    • 紧凑型陶瓷SMD封装
    • 光谱响应范围1000 nm到1700 nm
    • 低噪声和暗电流
    • 高增益和高量子探测效率
    • 带宽超过1000 MHz
    • 可定制修改以满足特定需求


    应用领域:

    • LiDAR / ToF测量
    • 人眼安全激光测距
    • LiDAR
    • 光学时域反射仪(OTDR)
    • 光通信系统
    • 激光扫描


    规格

    感光直径:80 µm
    击穿电压:45-70 V
    温度系数:0.14V/°C
    响应度:在1550 nm为9.4 A/W
    暗电流:5 nA
    光谱噪声电流:0.35 pA/√Hz
    结电容:1.45 pF
    带宽:大于1000 MHz
    量子效率:在1300-1550nm为75%
    增益:20
    封装:SMD

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