EXCELITAS 埃塞力达
C30737LH-300-73N - 硅APD, 300um, LCC, 650nm滤光片 C30737LH-300-73N硅雪崩光电二极管(APD)在无引脚陶瓷载体(LCC)中提供300 µm的感光直径，以及增强的800 nm响应和650 nm的光学带通。
C30737LH-300-72N - 硅APD, 300um, LCC, 905nm滤光片 C30737LH-300-72N硅雪崩光电二极管(Si APD)在无引脚陶瓷载体(LCC)中提供300 µm的感光直径，以及增强的800nm响应和905 nm光学滤光片。
C30737LH-300-71N - 硅APD, 300um, LCC, 635nm滤光片 C30737LH-300-71N硅雪崩光电二极管(Si APD)在无引脚陶瓷载体(LCC)中提供300 µm的感光直径，以及增强的800 nm响应和635 nm光学带通滤光片。
C30737LH-300-70N - 硅APD, 300um, LCC C30737LH-300-70N硅雪崩光电二极管(Si APD)在无引脚陶瓷载体(LCC)中提供300µm的感光直径和增强的800 nm响应。
C30737LH-230-92N - 硅APD, 230um, LCC, 905nm滤光片, 900nm增强型 C30737LH-230-92N硅雪崩光电二极管(Si APD)在无引脚陶瓷载体(LCC)中提供230 µm感光直径，以及增强的900 nm响应和905 nm光学滤光片。
C30737LH-230-90N - Si APD, 230 um, LCC, 900nm增强型 C30737LH-230-90N硅雪崩光电二极管(Si APD)在无引脚陶瓷载体(LCC)中提供230 µm感光直径和增强的900 nm响应。
C30737LH-230-83N - 硅APD, 230um, LCC, 800nm增强型, 650nm滤光片 C30737LH-230-83N硅雪崩光电二极管(Si APD)在无引脚陶瓷载体(LCC)中提供230µm的感光直径、增强的800 nm响应和650 nm光学带通滤光片。
C30737LH-230-81N - 硅APD, 230um, LCC, 800nm增强型, 635nm滤光片 C30737LH-230-81N硅雪崩光电二极管（SI APD）在无引脚陶瓷载体（LCC）中提供230µm的感光直径，以及增强的800nm响应和635nm光学带通。
C30737LH-230-80N - Si APD, 230 um, LCC, 800nm增强型 C30737LH-230-80N硅雪崩光电二极管（Si APD）在无引脚陶瓷载体（LCC）中提供230 µm的感光直径和增强的800 nm响应。
C30737CH-300-70—硅APD, 300um, LLC侧视封装 C30737CH-300-70硅雪崩光电二极管（Si APD）采用无引脚叠层载体（LLC），提供300 µm的感光直径和增强的800 nm响应。
C30724PH—硅APD，500um，塑料封装 C30724PH硅雪崩光电二极管（Si APD）采用塑料TO封装，提供920 nm的峰值灵敏度和低温系数。
C30724EH-2—硅APD，500um，TO封装，905nm滤光片 C30724EH-2硅雪崩光电二极管（Si APD）采用金属TO封装，提供905 nm滤光片和低温系数。
C30724EH—硅APD，500um，TO封装 C30724EH硅雪崩光电二极管（Si APD）采用金属TO封装，提供920 nm的峰值灵敏度和低温系数。
LLAM-1550E-R2AH - 铟镓砷APD接收器, 200um, TO-66, 50MHz, 致冷器, 高损伤阈值 LLAM-1550E-R2AH 包含1550 nm InGaAs APD的高速，低光探测模拟雪崩光电二极管（APD）接收器模块。该APD接收器模块包含热电致冷器，可提供50 MHz的带宽和高损伤阈值。
LLAM-1550-R2AH - 铟镓砷APD接收器, 200um, TO-66, 50MHz, 致冷器 LLAM-1550-R2AH 包含1550 nm InGaAs APD的高速，低光探测模拟雪崩光电二极管（APD）接收器模块。该InGaAs APD接收器包含一个热电致冷器，并提供 50 MHz的带宽。
在线客服