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     EXCELITAS 埃塞力达  C30902SH  高性能Si APD

    EXCELITAS 埃塞力达 C30902SH 高性能Si APD

    EXCELITAS 埃塞力达 C30902SH 高性能Si APD

    C30902SH - 硅APD, 0.5mm, TO-18, 光子计数

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     EXCELITAS 埃塞力达  C30902SH  高性能Si APD

    埃赛力达的C30902SH雪崩光电二极管为高速、大面积的硅基APD,可保持较低的噪声水平并提供较高的响应度。其被特别选择用于盖革模式(VOP < VBD)以检测单光子,或用于线性模式(VOP > VBD),增益高达250。 

    高响应度、低噪声直通式SPAD

    C30902SH系列硅基SPAD提供极低的噪声和大容量暗电流,可实现极高性能的数据和距离测量。特别适合用于超低光水平检测应用(例如单光子计数和量子通信),并且适用于小于1 pW的光功率。C30902SH可用于线性模式 (VOP < VBD),典型增益为250或以上,或用于“盖革”模式(VOP >VBD),具有极低且稳定的暗计数率和脉冲后比率。在这种模式下,不需要放大器,并可能实现高达约50%的单光子检测概率。要获得更高性能,这些高性能SPAD可配备单级或双级热电冷却器。

    特点

    • 采用TO-18外壳的0.5 mm Si APD
    • 高量子效率 - 800 nm下通常为84 %
    • 室温下噪声低
    • 高响应度:内部雪崩增益>250
    • 光谱响应范围:400至1100 nm
    • 响应时间:通常为0.4 ns
    • 较宽的工作温度范围:-40 °C至+85 °C
    • 内置热电致冷选项

    应用

    • LiDAR / ToF测量
    • 量子通讯
    • 光子计数
    • 光时域反射仪(OTDR)
    • 激光扫描

    规格

    感光面积:0.2 mm²
    感光直径:0.5 mm
    击穿电压:225 V(典型值)
    电容:1.5 pF(典型值)
    温度系数:0.7 V/°C(典型值)
    暗电流:7 nA
    暗噪声:0.1 pA/√Hz
    等效噪声功率:0.74 fW/√Hz
    典型响应度:800 nm下为135 A/W
    推荐增益:250
    封装:TO-18,平面窗口

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