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    EXCELITAS 埃塞力达  C30739ECERH   大面积UV增强型APD

    EXCELITAS 埃塞力达 C30739ECERH 大面积UV增强型APD

    EXCELITAS 埃塞力达 C30739ECERH 大面积UV增强型APD

    C30739ECERH - 硅APD, 陶瓷载体 C30739ECERH短波长增强型硅雪崩光电二极管(Si APD)覆盖从小于400 nm到大于700 nm的光谱范围。这种Si APD具有低噪声、高增益、低电容和增强的紫外响应,并且在430 nm处的量子效率高于70%,专为低光度应用而设计,如分子成像。其陶瓷载体封装允许轻松处理和耦合到诸如LSO和BGO等闪烁晶体。

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    EXCELITAS 埃塞力达  C30739ECERH   大面积UV增强型APD

    功能与优点:

    • 增强紫外响应的Si APD
    • 在430 nm处高于70%的量子效率
    • 扁平陶瓷包装 - 轻松耦合到闪烁晶体
    • 非磁性封装

    应用领域:

    • 分子成像
    • 核医学
    • 荧光检测
    • 高能物理
    • 安全辐射探测
    • 环境监测

    规格

    感光面积:5.6x5.6 mm
    击穿电压:400, <450 V
    电容:60 pF
    暗电流:1.5 nA
    增益:>100
    噪声电流:
    响应时间:2 ns
    响应度:在430 nm处,C30739ECERH为26 A/W,C30739ECERH-2为52 A/W,典型增益
    上升/下降时间:2 ns
    光谱噪声电流:C30739ECERH为0.3 pA/√Hz,C30739ECERH-2为0.4 pA/√Hz
    波长:400-700nm

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