EXCELITAS 埃塞力达 C30902EH 高性能Si APD

EXCELITAS 埃塞力达  C30902EH   高性能Si APD

用于弱光探测的低噪声穿透式APD

C30902EH系列雪崩光电二极管采用双扩散“穿透式”结构。这种结构在400 nm和1000 nm之间提供高响应性，以及在所有波长下的极快上升和下降时间。该器件的响应性在800 MHz以下时通常与调制频率无关。探测器芯片采用经过修改的TO-18封装，密封在平玻璃窗后面。光敏表面的有效直径为0.5 mm。

C30902 APD系列还具有单光子能力的APD（SPAD），可在盖革模式和线性模式下大幅提高增益。请参阅我们的C30902SH数据表以了解更多信息。

功能与优点：

• 采用TO-18外壳的0.5 mm Si APD
• 高量子效率 - 800 nm下通常为84 %
• 室温下噪声低
• 高响应度：内部雪崩增益>150
• 光谱响应范围：400至1100 nm
• 响应时间：通常为0.4 ns
• 较宽的工作温度范围：-40 °C至+85 °C

应用领域：

• LiDAR / ToF测量
• 光学时域反射仪（OTDR）
• 弱信号荧光检测
• 激光扫描