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    EXCELITAS 埃塞力达   C30817EH  高性能Si APD

    EXCELITAS 埃塞力达 C30817EH 高性能Si APD

    EXCELITAS 埃塞力达 C30817EH 高性能Si APD

    C30817EH - 硅APD, 0.8mm, TO-5薄型 通用C30817EH硅雪崩光电二极管采用双扩散“穿透式”结构设计。这种结构能够在400至1100nm之间提供高响应度,并能在所有波长下实现极快的上升和下降。由于下降时间特征没有“拖尾”,器件的响应度与最高约200 MHz的调制频率无关。

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    EXCELITAS 埃塞力达   C30817EH  高性能Si APD

    C30817采用经过修改的薄型TO-5封装,密封在平玻璃窗后面。

    主要特性:

    • 高量子效率
      • 在900 nm处的典型值为85%
      • 在1060 nm处的典型值为18%
    • 光谱响应范围:400至1100 nm
    • 快速响应时间
    • 2 ns的典型上升时间和下降时间
    • 较宽的工作温度范围

    应用领域:

    • 激光探测
    • 测距
    • 光通信
    • 高速开关
    • 渡越时间测量

    规格

    感光面积:0.5 mm²
    感光直径:0.8 mm
    击穿电压:375V
    电容:2 pF
    暗电流:50 nA
    增益:120
    噪声电流:1 pA/√Hz
    封装:TO-5,平面窗口
    响应度:

    • 在900 nm为75 A/W
    • 在1060 nm为18 A/W

    上升/下降时间:2 ns
    温度系数:0.7V/°C
    波长:400-1100nm

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