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    HAMAMATSU  滨松  S11141-10  硅光电二极管
    • HAMAMATSU  滨松  S11141-10  硅光电二极管

    HAMAMATSU 滨松 S11141-10 硅光电二极管

    HAMAMATSU 滨松 S11141-10 硅光电二极管

    高灵敏度,直接检测低能量(1 keV 或以上)电子束

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    HAMAMATSU  滨松  S11141-10  硅光电二极管

    受光面10 x 10 mm
    像元数1
    封装陶瓷
    入射电子能范围(典型值)1 至 30 keV
    电子倍增系数(典型值)300
    反向电压(最大值)20 V
    暗电流(最大值)60000 pA
    截止频率(典型值)2.5 MHz
    结电容(典型值)450 pF
    测量条件Ta = 25°C,VR = 5V

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