HAMAMATSU 滨松 S11141-10 硅光电二极管
受光面 | 10 x 10 mm |
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像元数 | 1 |
封装 | 陶瓷 |
入射电子能范围(典型值) | 1 至 30 keV |
电子倍增系数(典型值) | 300 |
反向电压(最大值) | 20 V |
暗电流(最大值) | 60000 pA |
截止频率(典型值) | 2.5 MHz |
结电容(典型值) | 450 pF |
测量条件 | Ta = 25°C,VR = 5V |
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