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HAMAMATSU 滨松 S11142-10 硅光电二极管阵列
| 受光面 | 14 x 14 mm |
|---|---|
| 像元数 | 4 |
| 封装 | 陶瓷 |
| 入射电子能范围（典型值） | 1 至 30 keV |
| 电子倍增系数（典型值） | 300 |
| 反向电压（最大值） | 20 V |
| 暗电流（最大值） | 60000 pA |
| 截止频率（典型值） | 5 MHz |
| 结电容（典型值） | 200 pF |
| 测量条件 | Ta = 25°C，VR = 5V |
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