HAMAMATSU 滨松 S12363-121 硅光电二极管阵列
像元尺寸(每个像元) | 2.2 × 2.7 mm |
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像元数 | 16 |
封装 | 玻璃环氧树脂 |
封装类别 | 带闪烁体 |
闪烁体类型 | CsI(Tl) |
制冷 | 非冷却型 |
暗电流(最大值) | 50 pA |
上升时间(典型值) | 6.5 μs |
结电容(典型值) | 75 pF |
测量条件 | Ta = 25°C,每个像元 |
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