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HAMAMATSU 滨松 S11212-321 硅光电二极管阵列
| 像元尺寸（每个像元） | 1.175 × 2.0 mm |
|---|---|
| 像元数 | 16 |
| 封装 | 玻璃环氧树脂 |
| 封装类别 | 带闪烁体 |
| 闪烁体类型 | GOS 陶瓷 |
| 制冷 | 非冷却型 |
| 反向电压（最大值） | 10 V |
| 暗电流（最大值） | 30 pA |
| 上升时间（典型值） | 6.5 μs |
| 结电容（典型值） | 40 pF |
| 测量条件 | Ta = 25°C，每个像元，暗电流：VR=10 mV，上升时间：VR = 0 V，结电容：VR = 0 V |
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