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HAMAMATSU 滨松 S16835-100DG SPAD
| 封装类型 | 金属 (TO-8) |
|---|---|
| 有效光敏区 | φ 100 µm |
| 光谱响应范围 | 400～1000 nm |
| 最大灵敏度波长（典型值） | 610 nm |
| 暗计数（典型值） | 0.06 kcps |
| 结电容（典型值） | 3.2 pF |
| 增益率（典型值） | 1.5×106 |
| 测量条件 | Ta = 25 ℃, Tchip = -20 ℃ |
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