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HAMAMATSU 滨松 S15249 硅 APD 阵列
| 类型 | 16 像元阵列 |
|---|---|
| 受光面 | 0.7 × 2.0 mm |
| 封装 | 玻璃环氧树脂 |
| 最大灵敏度波长（典型值） | 620 nm |
| 灵敏度波长范围 | 350 至 1000 nm |
| 暗电流（最大值） | 5 nA |
| 截止频率（典型值） | 100 MHz |
| 结电容（典型值） | 25 pF |
| 击穿电压（典型值） | 160 V |
| 击穿电压温度系数（典型值） | 0.14 V/°C |
| 增益率（典型值） | 50 |
| 测量条件 | Ta = 25°C，每个像元，感光灵敏度：M = 1，λ = 450nm，最大灵敏度波长：M = 50，暗电流：M = 50，截止频率：M = 50，λ = 450 nm，RL = 50 Ω，-3 dB，结电容：M = 50，f = 100 kHz，击穿电压：ID = 100 μA，增益率：λ = 450 nm，除非另有说明 |
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