HAMAMATSU 滨松 S12426-02 硅 APD
类型 | 高速型 (适用于 900 nm,低偏压操作) |
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受光面 | φ0.2 mm |
封装 | 金属 |
封装类别 | TO-18 |
最大灵敏度波长(典型值) | 840 nm |
灵敏度波长范围 | 400 至 1100 nm |
感光灵敏度(典型值) | 0.52 A/W |
暗电流(最大值) | 1 nA |
截止频率(典型值) | 650 MHz |
结电容(典型值) | 0.5 pF |
击穿电压(典型值) | 160 V |
击穿电压温度系数(典型值) | 1.1 V/°C |
增益率(典型值) | 100 |
测量条件 | 典型值 Ta = 25°C,除非另有说明, 感光灵敏度:λ = 900 nm,M = 1 |
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