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    HAMAMATSU  滨松   S12426-02  硅 APD
    • HAMAMATSU  滨松   S12426-02  硅 APD

    HAMAMATSU 滨松 S12426-02 硅 APD

    HAMAMATSU 滨松 S12426-02 硅 APD

    低偏压、高速硅 APD,适用于 900 nm

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    HAMAMATSU  滨松   S12426-02  硅 APD

    类型高速型
    (适用于 900 nm,低偏压操作)
    受光面φ0.2 mm
    封装金属
    封装类别TO-18
    最大灵敏度波长(典型值)840 nm
    灵敏度波长范围400 至 1100 nm
    感光灵敏度(典型值)0.52 A/W
    暗电流(最大值)1 nA
    截止频率(典型值)650 MHz
    结电容(典型值)0.5 pF
    击穿电压(典型值)160 V
    击穿电压温度系数(典型值)1.1 V/°C
    增益率(典型值)100
    测量条件典型值 Ta = 25°C,除非另有说明,
    感光灵敏度:λ = 900 nm,M = 1

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