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HAMAMATSU 滨松 S12051 硅 APD
| 类型 | 近红外型 （低偏压操作） |
|---|---|
| 受光面 | φ0.5 mm |
| 封装 | 金属 |
| 封装类别 | TO-18 |
| 最大灵敏度波长（典型值） | 800 nm |
| 灵敏度波长范围 | 400 至 1000 nm |
| 感光灵敏度（典型值） | 0.5 A/W |
| 暗电流（最大值） | 1 nA |
| 截止频率（典型值） | 900 MHz |
| 结电容（典型值） | 2 pF |
| 击穿电压（典型值） | 150 V |
| 击穿电压温度系数（典型值） | 0.65 V/°C |
| 增益率（典型值） | 100 |
| 测量条件 | 典型值 Ta = 25°C，除非另有说明， |
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