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HAMAMATSU 滨松 S8558 硅光电二极管阵列
| 像元尺寸（每个像元） | 0.7 × 2.0 mm |
|---|---|
| 像元数 | 16 |
| 封装 | 陶瓷 |
| 封装类别 | 表面贴装 |
| 闪烁体类型 | 无 |
| 制冷 | 非冷却型 |
| 反向电压（最大值） | 30 V |
| 灵敏度波长范围 | 320 至 1100 nm |
| 最大灵敏度波长（典型值） | 960 nm |
| 感光灵敏度（典型值） | 0.72 A/W |
| 暗电流（最大值） | 1000 pA |
| 结电容（典型值） | 5 pF |
| 测量条件 | 典型值 Ta = 25°C，除非另有说明 每个像元，感光灵敏度：λ = λp，暗电流：VR = 10 V，结电容：VR = 10 V，f = 1 MHz |
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