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HAMAMATSU 滨松 G14858-0020AA InGaAs APD
| 像素数 | 1 |
|---|---|
| 受光面 | φ0.2 mm |
| 封装 | 金属 |
| 封装类别 | TO-18 |
| 灵敏度波长范围 | 950 至 1700 nm |
| 最大灵敏度波长（典型值） | 1550 nm |
| 感光灵敏度（典型值） | 0.8 A/W |
| 暗电流（最大值） | 50 nA |
| 截止频率（典型值） | 900 MHz |
| 结电容（典型值） | 2 pF |
| 击穿电压（典型值） | 65 V |
| 击穿电压温度系数（典型值） | 0.1 V/°C |
| 测量条件 | Ta = 25°C，感光灵敏度：λ = 1.55 μm，M = 1 |
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