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HAMAMATSU 滨松 G11193-03R InGaAs PIN 光电二极管
| 受光面 | φ0.3 mm |
|---|---|
| 像素数 | 1 |
| 封装 | 陶瓷 |
| 封装类别 | 表面贴装型 |
| 散热 | 非冷却型 |
| 灵敏度波长范围 | 0.9 到 1.7 μm |
| 最大灵敏度波长（典型值） | 1.55 μm |
| 感光灵敏度（典型值） | 1 A/W |
| 暗电流（最大值） | 1.2 nA |
| 截止频率（典型值） | 500 MHz |
| 结电容（典型值） | 5 pF |
| 噪声等效功率（典型值） | 4×10-15 W/Hz1/2 |
| 测量条件 | 典型值 Ta = 25°C，除非另有说明，感光灵敏度：λ = λp，暗电流：VR = 5 V，截止频率：VR = 5 V，RL = 50 Ω，-3 dB，结电容：VR = 5 V，f = 1 MHz |
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