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    HAMAMATSU  滨松  S12859-021  硅光电二极管阵列
    • HAMAMATSU  滨松  S12859-021  硅光电二极管阵列

    HAMAMATSU 滨松 S12859-021 硅光电二极管阵列

    HAMAMATSU 滨松 S12859-021 硅光电二极管阵列

    适用于 X 射线非破坏性检测的背照式光电二极管阵列(像元间距:1.17 mm)

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    HAMAMATSU  滨松  S12859-021  硅光电二极管阵列

    像元尺寸(每个像元)0.77 × 2.5 mm
    像元数16
    封装玻璃环氧树脂
    封装类别未密封
    闪烁体类型
    制冷非冷却型
    灵敏度波长范围340 至 1100 nm
    最大灵敏度波长(典型值)920 nm
    感光灵敏度(典型值)0.61 A/W
    暗电流(最大值)30 pA
    上升时间(典型值)6.5 μs
    结电容(典型值)30 pF
    备注本光电二极管阵列本身不用作 X 射线探测器。应在用户侧添加适当的闪烁体或磷光片。
    测量条件Ta = 25°C,每个像元,感光灵敏度:λ = λp

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