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HAMAMATSU 滨松 S12859-122 硅光电二极管阵列
| 像元尺寸（每个像元） | 0.77 × 2.5 mm |
|---|---|
| 像元数 | 16 |
| 封装 | 玻璃环氧树脂 |
| 封装类别 | 带闪烁体 |
| 闪烁体类型 | CsI(Tl) |
| 制冷 | 非冷却型 |
| 暗电流（最大值） | 30 pA |
| 上升时间（典型值） | 6.5 μs |
| 结电容（典型值） | 30 pF |
| 测量条件 | Ta = 25°C，每个像元 |
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