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HAMAMATSU 滨松 P15742-016DS InAsSb 光伏元件阵列
| 元件尺寸/元件 | 0.45×0.7 mm |
|---|---|
| 像元数 | 16 |
| 封装 | 16 针陶瓷 DIP |
| 制冷 | 非冷却型 |
| 截止波长（典型值） | 5.3 μm |
| 最大灵敏度波长（典型值） | 4.1 μm |
| 感光灵敏度（典型值） | 0.0065 A/W |
| 检测率 D*（典型值） | 1×109 cm・Hz1/2/W |
| 噪声等效功率（典型值） | 5.6×10-11 W/Hz1/2 |
| 上升时间（典型值） | 15 ns |
| 结电容（典型值） | 40 pF |
| 测量条件 | Ta = 25°C，检测率 D*：（λp，1200，1），结电容：VR = 0 V，f = 1 MHz |
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