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HAMAMATSU 滨松 S14124-20 硅 APD
| 类型 | 短波长类型 （低结电容） |
|---|---|
| 受光面 | φ2.0 mm |
| 封装 | 金属 |
| 封装类别 | TO-8 |
| 最大灵敏度波长（典型值） | 600 nm |
| 暗电流（最大值） | 10 nA |
| 截止频率（典型值） | 250 MHz |
| 结电容（典型值） | 11 pF |
| 击穿电压（典型值） | 400 V |
| 击穿电压温度系数（典型值） | 0.78 V/°C |
| 增益率（典型值） | 400 |
| 测量条件 | 典型值 Ta = 25°C，除非另有说明 |
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