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HAMAMATSU 滨松 S8664-1010 硅 APD
| 类型 | 短波长类型 （低结电容） |
|---|---|
| 受光面 | 10 × 10 mm |
| 封装 | 陶瓷 |
| 最大灵敏度波长（典型值） | 600 nm |
| 灵敏度波长范围 | 320 至 1000 nm |
| 感光灵敏度（典型值） | 0.24 A/W |
| 暗电流（最大值） | 100 nA |
| 截止频率（典型值） | 11 MHz |
| 结电容（典型值） | 270 pF |
| 击穿电压（典型值） | 400 V |
| 击穿电压温度系数（典型值） | 0.78 V/°C |
| 增益率（典型值） | 50 |
| 测量条件 | 典型值 Ta = 25°C，除非另有说明， 感光灵敏度：λ = 420 nm，M = 1 |
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