HAMAMATSU 滨松 S8550-02 硅 APD 阵列
| 类型 | 4×8 像元阵列 |
|---|---|
| 受光面 | 1.6 × 1.6 mm |
| 封装 | 陶瓷 |
| 最大灵敏度波长（典型值） | 600 nm |
| 灵敏度波长范围 | 320 至 1000 nm |
| 暗电流（最大值） | 10 nA |
| 截止频率（典型值） | 250 MHz |
| 结电容（典型值） | 9 pF |
| 击穿电压（典型值） | 400 V |
| 击穿电压温度系数（典型值） | 0.78 V/°C |
| 增益率（典型值） | 50 |
| 测量条件 | Ta = 25°C，最大灵敏度波长：M = 50，暗电流：每 1 个像元，M = 50，结电容：每 1 个像元，M = 50，f = 10 kHz，除非另有说明 |
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