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    HAMAMATSU  滨松   G12430-032D  InGaAs PIN 光电二极管阵列
    • HAMAMATSU  滨松   G12430-032D  InGaAs PIN 光电二极管阵列

    HAMAMATSU 滨松 G12430-032D InGaAs PIN 光电二极管阵列

    HAMAMATSU 滨松 G12430-032D InGaAs PIN 光电二极管阵列

    32 像元 InGaAs 阵列

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    HAMAMATSU  滨松   G12430-032D  InGaAs PIN 光电二极管阵列

    像元数32
    封装陶瓷
    制冷非冷却型
    灵敏度波长范围0.9 到 1.7 μm
    最大灵敏度波长(典型值)1.55 μm
    感光灵敏度(典型值)0.95 A/W
    暗电流(最大值)1.25 nA
    截止频率(典型值)60 MHz
    结电容(典型值)35 pF
    测量条件典型值 Ta = 25°C,除非另有说明

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