VTP7110H - Si PD,带透镜的侧视封装, 0.684 mm2 VTP7110H是一种采用带透镜侧面封装，具有快速响应、低暗电流和宽视野特征的硅光电二极管。

VTP5050H - Si PD, TO-5, 7.45mm2 VTP5050H是一种采用TO-5封装、具有快速响应和低暗电流特征的硅光电二极管。

VTP6060H - Si PD, TO-8, 20.6mm2 VTP6060H是一种大面积的、采用密封TO-8封装、带扁平窗口的硅光电二极管，具有宽视野、快速响应和低暗电流的特点。

VTP4085SH - Si PD, 陶瓷型, 21 mm2, 低Id VTP4085SH是安装在涂有环氧树脂的陶瓷基板上的硅光电二极管，具有快速响应和低暗电流的特点。

VTP4085H - Si PD,陶瓷型, 21mm2 VTP4085H是安装在涂有环氧树脂的陶瓷基板上的硅光电二极管，具有快速响应和低暗电流的特点。

VTP3410LAH - Si PD, T1带透镜的IRT, 0.684 mm2 VTP3410LAH是一种采用可见光屏蔽、端面封装、长条T1滤镜封装的硅光电二极管。该光电二极管在近IR光谱范围内具有增强的响应，并具有极高分流电阻、低暗电流和低电容的特点。

VTP3310LAH - Si PD, T1带透镜, 0.684 mm2 VTP3310LAH是一种采用透明端面长T1透镜封装的硅光电二极管。这种光电二极管在可见光和近IR光谱范围内有增强的响应，并具有极高分流电阻、低暗电流和低电容的特点。

VTP1332H - Si PD, T1 3/4 带透镜的IRT, 2.326 mm2 VTP1332H是一种采用可见光屏蔽T1¾透镜封装的硅光电二极管。这种光电二极管在近IR光谱范围内具有增强的响应，具有极高分流电阻、低暗电流和低电容的特点。

VTP1332FH - Si PD, T1 3/4扁平封装IRT, 2.326 mm2 VTP1332FH是一种采用可见光屏蔽T1¾平面封装的硅光电二极管。该光电二极管在近IR光谱范围内具有增强的响应，并具有极高分流电阻、低暗电流和低电容的特点。

VTP1232H - Si PD, T1 3/4 带透镜, 2.326 mm2 VTP1232H是一种采用透明T1¾带透镜封装的硅光电二极管。VTP1232H硅光电二极管在可见光和近IR光谱范围内增强响应，并具有很高的分流电阻、低暗电流和低电容的特点。

VTP1232FH - Si PD, T1 3/4 扁平封装, 2.326 mm2 VTP1232FH是一种采用透明端面T1¾扁平封装的硅光电二极管。这种光电二极管在可见近IR范围内有增强的响应，具有极高分流电阻、低暗电流和低电容的特点。

VTP1188SH - Si PD, 带透镜陶瓷封装, 11 mm2 VTP1188SH是一种带透镜陶瓷封装的硅光电二极管。这种光电二极管在可见光或近红外光谱范围内增强响应，并且具有很高的分流电阻、低暗电流和低电容的特征。

VTP1112H - Si PD, TO-46带透镜, 1.6 mm2 VTP1112H是采用气密TO-46带透镜封装的硅光电二极管，在可见光和近IR光谱范围内提供增强的响应度。此光电二极管具有极高分流电阻、弱暗电流、低电容和视场窄等特点。

VTP1012H - Si PD, TO-46, 1.6mm2 VTP1012H是采用气密TO-46扁平窗口封装的硅光电二极管。此光电二极管在可见光和近红外光谱范围内的响应速度更快，同时具有极高的分流电阻、弱暗电流和低电容。

VTD31AAH - Si PD, 与CLD31AA等效, 陶瓷型, 16.73mm2 VTD31AAH是封装在带透明环氧树脂涂层的陶瓷基板上的硅光电二极管，并且是CLD31AA的行业等效产品。此光电二极管具有弱暗电流、快速响应和宽视场等特点。